參數(shù)資料
型號： MJE18204AK
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 66/67頁
文件大?。?/td> 533K
代理商： MJE18204AK
MJE18204 MJF18204
3–766
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
(IB1 = IB2 FOR ALL CURVES)
Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit
V(BR)CEO(sus)
L = 10 mH
RB2 = ∞
VCC = 20 Volts
IC(pk) = 100 mA
Inductive Switching
L = 200
H
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for desired IB1
RBSOA
L = 500
H
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for desired IB1
+15 V
1
F
150
3 W
100
3 W
MPF930
+10 V
50
COMMON
–Voff
500
F
MPF930
MTP8P10
MUR105
MJE210
MTP12N10
MTP8P10
150
3 W
100
F
Iout
A
1
F
IC PEAK
VCE PEAK
VCE
IB
IB1
IB2
RB2
RB1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE18204AU 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18204AN 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18204BV 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18206BV 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18206AS 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJE182STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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