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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJE18009BU |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/66頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 512K |
| 代理商： | MJE18009BU |
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MJE18009 MJF18009
3–753
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
100
10
1
100
1
0.1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
VCE = 1 V
Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volt
100
10
1
100
1
0.1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 125°C
VCE = 5 V
Figure 3. Collector Saturation Region
2
0
10
1
0.1
0.01
IB, BASE CURRENT (mA)
IC = 1 A
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
10
1
0.01
10
1
0.1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC/IB = 5
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1
8 A
Figure 5. Base–Emitter Saturation Region
1.1
0.7
0.3
10
0.1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
V
BE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1
5 A
3 A
0.1
IC/IB = 10
TJ = 125°C
TJ = 25°C
Figure 6. Capacitance
10
0.01
100
10
1
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
1
Cob
TJ = 25°C
f(test) = 1 MHz
0.1
Cib
0.9
0.5
10
IC/IB = 5
IC/IB = 10
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
TJ = 125°C
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