參數(shù)資料
型號(hào)： MJE18009BS
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/66頁
文件大?。?/td> 512K
代理商： MJE18009BS
2–3
Selector Guide
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 1. Plastic (Isolated TO–220 Type)
Device Type
Resistive Switching
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min
VCES
Volts
Min
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD (Case)
Watts
@ 25
°C
1
250
MJF47
30/150
0.3
2 typ
0.17 typ
0.3
10
28
2
400
700
BUL44F
14/34
0.2
2.75(3)
0.2(3)
1
13 typ
25
1000
MJF18002
14/34
0.2
2.75(3)
0.175(3)
1
13 typ
25
3
100
MJF31C
MJF32C
10 min
1
0.6
0.3
1
3
28
5
100
MJF122 (2)
MJF127 (2)
2000 min
3
1.5 typ
3
4(1)
28
400
700
BUL45F
14/34
0.3
1.7(3)
0.15(3)
1
12 typ
35
450
1000
BUT11AF
10 min
.005
4
0.8
2.5
40
1000
MJF18004
14/34
0.3
1.7(3)
0.15(3)
1
13 typ
35
550
1200
MJF18204
18/35
0.5
2.75(3)
0.2(3)
2
12
35
6
400
700
BUL146F
14/34
0.5
2.5(3)
0.15(3)
3
14 typ
40
450
1000
MJF18006
14/34
0.5
3.2(3)
0.15(3)
3
14 typ
40
8
80
MJF6107
30/90
2
0.5 typ
0.13 typ
2
4
35
150
MJF15030
MJF15031
40 min
3
1 typ
0.15 typ
3
30
35
400
700
MJF13007
5/30
5
3
0.7
5
4
40
BUL147F
14/34
1
2.5(3)
0.18(3)
2
14 typ
45
450
1000
MJF18008
16/34
1
2.75(3)
0.18(3)
2
13 typ
45
10
60
MJF3055
MJF2955
20/100
4
—
2
40
80
MJF44H11
MJF45H11
40/100
4
0.5 typ
0.14 typ
5
40
35
100
MJF6388 (2)
MJF6668 (2)
3k/20k
3
1.5 typ
20(1)
40
450
1000
MJF18009
14/34
1.5
2.75(3)
0.2(3)
3
12
50
12
400
700
MJF13009
6/30
8
3
0.7
8
40
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
1
3
2
CASE 221D
Isolated TO–220 Type
UL Recognized
File #E69369
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE18009DW 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18009BU 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18204BG 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18204BS 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18204AF 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE180G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE180PWD 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
MJE180STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE181 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE181G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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