參數(shù)資料
型號： MJE18009AK
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 14/66頁
文件大?。?/td> 512K
代理商： MJE18009AK
Selector Guide
2–14
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 8. Metal TO–204AA (Formerly TO–3), TO–204AE (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
15
450/850
MJ16010
5 min
15
1.2 typ
0.2 typ
10
175
MJ16012
7 min
15
0.9 typ
0.15 typ
10
175
16
140
2N3773
2N6609
15/60
8
1.1 typ
1.5 typ
8
4
150
2N5631
2N6031
15/60
8
1.2 typ
8
1
200
MJ15022
MJ15023
15/60
8
5
250
MJ15024
MJ15025
15/60
8
5
250
MJ21194
MJ21193
25/75
8
4
250
20
60
2N3772
15/60
10
2
150
2N6282(2)
2N6285 (2)
750/18k
10
2.5 typ
10
4(1)
160
75
2N5039
20/100
10
1.5
0.5
10
60
140
80
2N6283 (2)
2N6286 (2)
750/18k
10
2.5 typ
10
4(1)
160
90
2N5038
20/100
12
1.5
0.5
12
60
140
100
2N6284 (2)
2N6287 (2)
750/18k
10
2.5 typ
10
4(1)
160
140
MJ15003
MJ15004
25/150
5
2
250
200
BUV11
10 min
12
1.8
0.4
12
8
150
350
MJ10000 (2)
40/400
10
3
1.8
10
10(1)
175
400
MJ10005 (2)
40/400
10
1.5
0.5
10
10(1)
175
MJ13333
10/60
5
4
0.7
10
175
500
MJ10009 (2)
30/300
10
2
0.6
10
8(1)
175
25
60
2N5885
2N5883
20/100
10
1
0.8
10
4
200
80
2N5886
2N5884
20/100
10
1
0.8
10
4
200
2N6436
30/120
10
1
0.25
10
40
200
100
2N6338
2N6437
30/120
10
1
0.25
10
40
200
120
2N6339
2N6438
30/120
10
1
0.25
10
40
200
140
2N6340
30/120
10
1
0.25
10
40
200
150
2N6341
30/120
10
1
0.25
10
40
200
30
40
2N3771
15/60
15
2
150
2N5301
2N4398
15/60
15
2
1
10
2
200
60
2N5302
2N4399
15/60
15
2
1
10
2
200
MJ11012(2)
MJ11011(2)
1k min
20
4(1)
200
90
MJ11014 (2)
MJ11013 (2)
1k min
20
4(1)
200
100
2N6328
6/30
30
3
200
MJ802
MJ4502
25/100
7.5
2
200
120
MJ11016 (2)
MJ11015 (2)
1k min
20
4(1)
200
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE18009AJ 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18009AF 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18009AS 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18009BA 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18009BD 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE180G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE180PWD 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
MJE180STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE181 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE181G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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