參數(shù)資料
型號： MJE18009AJ
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 9/66頁
文件大?。?/td> 512K
代理商： MJE18009AJ
Selector Guide
2–10
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 6. Plastic TO–225AA Type (Formerly TO–126 Type) (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min
0.5
350
2N5657
30/250
0.1
3.5 typ
0.24 typ
0.1
10
20
BD159
30/240
0.05
20
1
40
2N4921
2N4918
20/100
0.5
0.6 typ
0.3 typ
0.5
3
30
60
2N4922
2N4919
20/100
0.5
0.6 typ
0.3 typ
0.5
3
30
80
2N4923
2N4920
20/100
0.5
0.6 typ
0.3 typ
0.5
3
30
1.5
45
BD165
BD166
15 min
0.5
6
20
BD135
BD136
40/250
0.15
12.5
60
BD137
BD138
40/250
0.15
12.5
80
BD169
15 min
0.5
6
20
BD139
BD140
40/250
0.15
12.5
BD140–10
63/160
0.15
12.5
300
MJE13002 (11)
5/25
1
4
0.7
1
5
40
400
MJE13003 (11)
5/25
1
4
0.7
1
5
40
2
80
BD237
BD238
25 min
1
3
25
100
MJE270 (2)(11)
MJE271 (2)(11)
1.5k min
0.12
6
15
3
60
MJE181
MJE171
50/250
0.1
0.6 typ
0.12 typ
0.1
50
12.5
80
BD179
BD180
40/250
0.15
3
30
MJE182
MJE172
50/250
0.1
0.6 typ
0.12 typ
0.1
50
12.5
200
BUY49P
30 min
0.5
25
20
4
40
MJE521
MJE371
40 min
1
40
45
BD437
BD438
40 min
2
3
36
BD776 (2)
750 min
2
20
15
60
BD440
25 min
2
3
36
BD677 (2)
BD678 (2)
750 min
1.5
40
BD677A (2)
BD678A (2)
750 min
2
40
BD787
BD788
20 min
2
50
15
BD777 (2)
BD778 (2)
750 min
2
20
15
2N5191
2N5194
25/100
1.5
0.4 typ
1.5
2
40
MJE800 (2)
MJE700 (2)
750 min
1.5
1(1)
40
2N6038 (2)
2N6035 (2)
750/18k
2
1.7 typ
1.2 typ
2
25
40
80
2N5192
2N5195
25/100
1.5
0.4 typ
1.5
2
40
BD441
BD442
15 min
2
3
36
BD679 (2)
BD680 (2)
750 min
1.5
40
BD679A (2)
BD680A (2)
750 min
2
40
BD789
BD790
10 min
2
40
15
(1) |hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(11)Case 77, Style 3
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE18009AF 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18009AS 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18009BA 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18009BD 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18009BG 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE180G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE180PWD 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
MJE180STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE181 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE181G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*