參數(shù)資料
型號： MJE18008BS
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 13/65頁
文件大?。?/td> 503K
代理商： MJE18008BS
Selector Guide
2–14
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 8. Metal TO–204AA (Formerly TO–3), TO–204AE (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
15
450/850
MJ16010
5 min
15
1.2 typ
0.2 typ
10
175
MJ16012
7 min
15
0.9 typ
0.15 typ
10
175
16
140
2N3773
2N6609
15/60
8
1.1 typ
1.5 typ
8
4
150
2N5631
2N6031
15/60
8
1.2 typ
8
1
200
MJ15022
MJ15023
15/60
8
5
250
MJ15024
MJ15025
15/60
8
5
250
MJ21194
MJ21193
25/75
8
4
250
20
60
2N3772
15/60
10
2
150
2N6282(2)
2N6285 (2)
750/18k
10
2.5 typ
10
4(1)
160
75
2N5039
20/100
10
1.5
0.5
10
60
140
80
2N6283 (2)
2N6286 (2)
750/18k
10
2.5 typ
10
4(1)
160
90
2N5038
20/100
12
1.5
0.5
12
60
140
100
2N6284 (2)
2N6287 (2)
750/18k
10
2.5 typ
10
4(1)
160
140
MJ15003
MJ15004
25/150
5
2
250
200
BUV11
10 min
12
1.8
0.4
12
8
150
350
MJ10000 (2)
40/400
10
3
1.8
10
10(1)
175
400
MJ10005 (2)
40/400
10
1.5
0.5
10
10(1)
175
MJ13333
10/60
5
4
0.7
10
175
500
MJ10009 (2)
30/300
10
2
0.6
10
8(1)
175
25
60
2N5885
2N5883
20/100
10
1
0.8
10
4
200
80
2N5886
2N5884
20/100
10
1
0.8
10
4
200
2N6436
30/120
10
1
0.25
10
40
200
100
2N6338
2N6437
30/120
10
1
0.25
10
40
200
120
2N6339
2N6438
30/120
10
1
0.25
10
40
200
140
2N6340
30/120
10
1
0.25
10
40
200
150
2N6341
30/120
10
1
0.25
10
40
200
30
40
2N3771
15/60
15
2
150
2N5301
2N4398
15/60
15
2
1
10
2
200
60
2N5302
2N4399
15/60
15
2
1
10
2
200
MJ11012(2)
MJ11011(2)
1k min
20
4(1)
200
90
MJ11014 (2)
MJ11013 (2)
1k min
20
4(1)
200
100
2N6328
6/30
30
3
200
MJ802
MJ4502
25/100
7.5
2
200
120
MJ11016 (2)
MJ11015 (2)
1k min
20
4(1)
200
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE18008AK 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18008AN 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18008BV 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18008AU 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18008AS 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE18008G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18009 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS
MJE180G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE180PWD 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
MJE180STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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