- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄98019 > MJE18008BG (ON SEMICONDUCTOR) 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MJE18008BG |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 23/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 503K |
| 代理商： | MJE18008BG |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁當前第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁
MJE18008 MJF18008
3–744
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 125°C
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
0.01
100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volts
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 3. Collector Saturation Region
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base–Emitter Saturation Region
Figure 6. Capacitance
10
1
110
100
10
1
0.01
0.1
1
10
2
0.01
IB, BASE CURRENT (AMPS)
10
1
0.01
IC COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.1
1.3
1
0.8
0.4
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.1
1
10
1000
100
1
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1
1000
1
0
0.1
110
10000
10
0.1
1
10
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
IC/IB = 10
IC/IB = 5
V
BE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.1
0.9
0.6
0.5
1.5
1.2
TJ = 25°C
3 A
5 A
8 A 10 A
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
IC/IB = 5
IC/IB = 10
TJ = – 20°C
IC = 1 A
0.7
Cob
100
Cib
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
VCE = 1 V
VCE = 5 V
TJ = 25°C
f = 1 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18008BA | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18008BU | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18008BS | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18008AK | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18008AN | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE18008G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18009 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS |
| MJE180G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE180PWD | 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| MJE180STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。