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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJE18008BA |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/65頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 503K |
| 代理商： | MJE18008BA |
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2–9
Selector Guide
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
New Product New Product New Product New Product
Table 5. Large Plastic TO–264
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
15
200
MJL3281A
MJL1302A
60/175
0.1
30 typ
200
650/1500
MJL16218
4/11
12
2.5 typ
170
16
250
MJL21194
MJL21193
25/75
8
4
200
New Product New Product New Product New Product
Table 6. Plastic TO–225AA Type (Formerly TO–126 Type)
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
0.3
350
MJE3439
40/160
0.02
15
0.5
150
MJE341
25/200
0.05
15
20.8
200
MJE344
30/300
0.05
15
20.8
250
2N5655
30/250
0.1
3.5 typ
0.24 typ
0.1
10
20
BD157
30/240
0.05
20
300
BD158
30/240
0.05
20
MJE340
MJE350
30/240
0.05
20.8
2N5656
30/250
0.1
3.5 typ
0.24 typ
0.1
10
20
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
STYLE 2:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
CASE 340G
(TO–264)
1
3
2
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
CASE 77
(TO–225AA)
3
1
2
STYLE 3:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MJE18008BU | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18008BS | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18008AK | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18008AN | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18008BV | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE18008G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18009 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS |
| MJE180G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE180PWD | 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR |
| MJE180STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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