參數(shù)資料
型號(hào)： MJE18006BU
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 6 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 56/65頁(yè)
文件大小： 498K
代理商： MJE18006BU
MJE18006 MJF18006
3–739
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
–5
–4
–3
–2
–1
0
1
2
3
4
5
0
123
4567
8
Figure 18. Dynamic Saturation Voltage Measurements
TIME
VCE
V
OL
T
S
IB
Figure 19. Inductive Switching Measurements
1
s
3
s
90% IB
dyn 1
s
dyn 3
s
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
01
2
3
456
7
8
TIME
IB
IC
tsi
VCLAMP
10% VCLAMP
90% IB1
10% IC
tc
90% IC
tfi
Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit
+15 V
1
F
150
3 W
100
3 W
MPF930
+10 V
50
COMMON
–Voff
500
F
MPF930
MTP8P10
MUR105
MJE210
MTP12N10
MTP8P10
150
3 W
100
F
Iout
A
1
F
IC PEAK
VCE PEAK
VCE
IB
IB1
IB2
V(BR)CEO(sus)
L = 10 mH
RB2 =
∞
VCC = 20 VOLTS
IC(pk) = 100 mA
INDUCTIVE SWITCHING
L = 200
H
RB2 = 0
VCC = 15 VOLTS
RB1 SELECTED FOR
DESIRED IB1
RBSOA
L = 500
H
RB2 = 0
VCC = 15 VOLTS
RB1 SELECTED
FOR DESIRED IB1
RB2
RB1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE18006BS 6 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18008BG 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18008BA 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18008BU 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18008BS 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
MJE18006G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18008 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18008G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE18009 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS
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