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參數(shù)資料
| 型號： | MJE18006AF |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 6 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 26/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 498K |
| 代理商： | MJE18006AF |
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Outline Dimensions and Leadform Options
5–6
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Leadform Options — TO–220 (Case 221A)
Leadform options require assignment of a special part number before ordering.
Contact your local Motorola representative for special part number and pricing.
10,000 piece minimum quantity orders are required.
Leadform orders are non–cancellable after processing.
Leadforms apply to both Motorola Case 221A–04 and 221A–06 except as noted.
LEADFORM BC
LEADFORM AS
.100 REF.
.20 REF.
.125
± .010
0.100 TYP.
MOUNTING
SURFACE
0.750 MAX.
.736
± .010
.620
± .015
.950 MIN.
1.00 MIN.
LEADFORM AJ
CASE
221A–04
221A–06
A
0.360
± 0.010
.100 REF.
.200 REF.
.050 REF.
.06R
.017
± .004
Lead Not Trimmed
0.300 Min.
.580
± .010
.765
± .01
A
LEADFORM AU
CASE
221A–04
221A–06
A
0.920 Min.
0.885 Min.
LEADFORM 3 LEADS
.190
± .020
.095 REF.
.574
± .01
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18006BG | 6 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18006AS | 6 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18006BA | 6 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18006BU | 6 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18006BS | 6 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE18006G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18008 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18008G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18009 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS |
| MJE180G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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