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參數(shù)資料
| 型號： | MJE16106AF |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 13/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 487K |
| 代理商： | MJE16106AF |
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Selector Guide
2–14
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 8. Metal TO–204AA (Formerly TO–3), TO–204AE (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
15
450/850
MJ16010
5 min
15
1.2 typ
0.2 typ
10
175
MJ16012
7 min
15
0.9 typ
0.15 typ
10
175
16
140
2N3773
2N6609
15/60
8
1.1 typ
1.5 typ
8
4
150
2N5631
2N6031
15/60
8
1.2 typ
8
1
200
MJ15022
MJ15023
15/60
8
5
250
MJ15024
MJ15025
15/60
8
5
250
MJ21194
MJ21193
25/75
8
4
250
20
60
2N3772
15/60
10
2
150
2N6282(2)
2N6285 (2)
750/18k
10
2.5 typ
10
4(1)
160
75
2N5039
20/100
10
1.5
0.5
10
60
140
80
2N6283 (2)
2N6286 (2)
750/18k
10
2.5 typ
10
4(1)
160
90
2N5038
20/100
12
1.5
0.5
12
60
140
100
2N6284 (2)
2N6287 (2)
750/18k
10
2.5 typ
10
4(1)
160
140
MJ15003
MJ15004
25/150
5
2
250
200
BUV11
10 min
12
1.8
0.4
12
8
150
350
MJ10000 (2)
40/400
10
3
1.8
10
10(1)
175
400
MJ10005 (2)
40/400
10
1.5
0.5
10
10(1)
175
MJ13333
10/60
5
4
0.7
10
175
500
MJ10009 (2)
30/300
10
2
0.6
10
8(1)
175
25
60
2N5885
2N5883
20/100
10
1
0.8
10
4
200
80
2N5886
2N5884
20/100
10
1
0.8
10
4
200
2N6436
30/120
10
1
0.25
10
40
200
100
2N6338
2N6437
30/120
10
1
0.25
10
40
200
120
2N6339
2N6438
30/120
10
1
0.25
10
40
200
140
2N6340
30/120
10
1
0.25
10
40
200
150
2N6341
30/120
10
1
0.25
10
40
200
30
40
2N3771
15/60
15
2
150
2N5301
2N4398
15/60
15
2
1
10
2
200
60
2N5302
2N4399
15/60
15
2
1
10
2
200
MJ11012(2)
MJ11011(2)
1k min
20
4(1)
200
90
MJ11014 (2)
MJ11013 (2)
1k min
20
4(1)
200
100
2N6328
6/30
30
3
200
MJ802
MJ4502
25/100
7.5
2
200
120
MJ11016 (2)
MJ11015 (2)
1k min
20
4(1)
200
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE16204DW | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16204BU | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16204BD | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16204BA | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16204AK | 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE16204 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, NPN TO-220 |
| MJE170 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE171 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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