- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄98016 > MJE15029AU (ON SEMICONDUCTOR) 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MJE15029AU |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 34/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 408K |
| 代理商： | MJE15029AU |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁當(dāng)前第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
3–687
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
Figure 8. DC Current Gain
Figure 9. “On” Voltage
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
200
1K
10
0.1
150
100
70
30
0.2
10
1.0
5.0
2.0
0.5
TJ = 25°C
TJ = 150°C
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.6
1.2
1.0
0.6
0.2
TJ = 25°C
V,
V
OL
TAGE
(
V
OL
T
S
)
NPN — MJE15028 MJE15030
PNP — MJE15029 MJE15031
500
1K
200
100
50
20
10
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 2.0 V
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) = IC/IB = 20
VBE(on) @ VCE = 2.0 V
1.8
1.4
1.0
0.8
0.4
0
IC/IB = 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
VCC = 80 V
IC/IB = 10
TJ = 25°C
td (NPN, PNP)
tr (PNP)
Figure 10. Turn–On Times
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
Figure 11. Turn–Off Times
0.2
0.1
VCC = 80 V
IC/IB = 10, IB1 = IB2
ts (NPN) TJ = 25°C
0.1
1.0
0.5
0.2
0.03
0.01
0.1
0.05
0.02
t,TIME
(
s)
t,TIME
(
s)
NPN
PNP
10
0.1
0.2
1.0
5.0
2.0
0.5
10
0.2
1.0
5.0
2.0
0.5
10
0.1
0.2
1.0
5.0
2.0
0.5
10
0.2
1.0
5.0
2.0
0.5
10
0.1
0.2
0.3
5.0
2.0
0.5
50
20
500
TJ = 150°C
TJ = – 55°C
VCE = 2 V
TJ = – 55°C
TJ = 25°C
tr (NPN)
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 2.0 V
VCE(sat) = IC/IB = 20
IC/IB = 10
tf (NPN)
tf (PNP)
ts (PNP)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE15029BS | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE15030BD | 8 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE15031BS | 8 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE15028AN | 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE15029BA | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE15029G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 120V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE15030 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE15030G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE15031 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE15031 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-220 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。