參數(shù)資料
型號(hào)： MJE15029
廠商： MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP.
英文描述： POWER TRANSISTORS(8.0A,120-150V,50W)
中文描述： 功率晶體管（8.0A ,120 - 150伏，50瓦）
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 217K
代理商： MJE15029
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
h
Figure 8. DC Current Gain
Figure 9. “On” Voltage
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
200
150
1K
10
0.1
100
70
50
30
20
0.2
10
1.0
5.0
2.0
0.5
TJ = 25
°
C
TJ = 150
°
C
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.6
1.2
1.0
0.6
0.2
TJ = 25
°
C
V
NPN — MJE15028 MJE15030
PNP — MJE15029 MJE15031
500
1K
200
100
50
20
10
h
VCE = 2.0 V
V
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) = IC/IB = 20
VBE(on) @ VCE = 2.0 V
1.8
1.4
1.0
0.8
0.4
0
IC/IB = 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
VCC = 80 V
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
td (NPN, PNP)
tr (PNP)
Figure 10. Turn–On Times
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
Figure 11. Turn–Off Times
0.2
0.1
VCC = 80 V
IC/IB = 10, IB1 = IB2
ts (NPN) TJ = 25
°
C
0.1
1.0
0.5
0.2
0.03
0.02
0.01
0.1
0.05
t
μ
t
μ
NPN
PNP
10
0.1
0.2
1.0
5.0
2.0
0.5
10
0.2
1.0
5.0
2.0
0.5
10
0.1
0.2
1.0
5.0
2.0
0.5
10
0.2
1.0
5.0
2.0
0.5
10
0.1
0.2
0.3
5.0
2.0
0.5
500
TJ = 150
°
C
TJ = –55
°
C
VCE = 2 V
TJ = –55
°
C
TJ = 25
°
C
tr (NPN)
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 2.0 V
VCE(sat) = IC/IB = 20
IC/IB = 10
tf (NPN)
tf (PNP)
ts (PNP)
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MJE15030 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE15030G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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