參數(shù)資料
型號(hào)： MJE15029
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120-150 VOLTS 50 WATTS
中文描述： 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
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代理商： MJE15029
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
OFF CHARACTERISTICS
MJE15030, MJE15031
Collector Cutoff Current
150
—
—
0.1
mAdc
(VCB = 120 Vdc, IE = 0)
(VCB = 150 Vdc, IE = 0)
Emitter Cutoff Current
MJE15028, MJE15029
MJE15030, MJE15031
IEBO
—
—
10
10
μ
Adc
(IC = 0.1 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
(IC = 2.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
(VCE From 2.0 V to 20 V, IC From 0.1 A to 3 A)
40
2
—
(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain — Bandwidth Product (2)
(2) fT =
hfe
ftest.
fT
30
—
MHz
t, TIME (ms)
0.01
0.01
0.05
1.0
2.0
5.0
10
20
50
500
1.0 k
0.1
0.5
0.2
1.0
0.7
0.2
0.1
0.05
r
Z
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
R
θ
JC = 1.56
°
C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) Z
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.2
SINGLE PULSE
R
Figure 2. Thermal Response
0.5
D = 0.5
0.05
0.3
0.07
0.03
0.02
0.02
100
200
0.1
0.02
0.01
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PDF描述
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MJE15030 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE15030G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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