參數資料
型號： MJE15029
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
中文描述： 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數： 4/6頁
文件大?。?/td> 217K
代理商： MJE15029
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
h
Figure 8. DC Current Gain
Figure 9. “On” Voltage
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
200
150
1K
10
0.1
100
70
50
30
20
0.2
10
1.0
5.0
2.0
0.5
TJ = 25
°
C
TJ = 150
°
C
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.6
1.2
1.0
0.6
0.2
TJ = 25
°
C
V
NPN — MJE15028 MJE15030
PNP — MJE15029 MJE15031
500
1K
200
100
50
20
10
h
VCE = 2.0 V
V
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) = IC/IB = 20
VBE(on) @ VCE = 2.0 V
1.8
1.4
1.0
0.8
0.4
0
IC/IB = 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
VCC = 80 V
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
td (NPN, PNP)
tr (PNP)
Figure 10. Turn–On Times
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
Figure 11. Turn–Off Times
0.2
0.1
VCC = 80 V
IC/IB = 10, IB1 = IB2
ts (NPN) TJ = 25
°
C
0.1
1.0
0.5
0.2
0.03
0.02
0.01
0.1
0.05
t
μ
t
μ
NPN
PNP
10
0.1
0.2
1.0
5.0
2.0
0.5
10
0.2
1.0
5.0
2.0
0.5
10
0.1
0.2
1.0
5.0
2.0
0.5
10
0.2
1.0
5.0
2.0
0.5
10
0.1
0.2
0.3
5.0
2.0
0.5
500
TJ = 150
°
C
TJ = –55
°
C
VCE = 2 V
TJ = –55
°
C
TJ = 25
°
C
tr (NPN)
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 2.0 V
VCE(sat) = IC/IB = 20
IC/IB = 10
tf (NPN)
tf (PNP)
ts (PNP)
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PDF描述
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