參數(shù)資料
型號: MJD29
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN Epitaxial Silicon Transistor(NPN硅外延晶體管)
中文描述: 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝: DPAK-3
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 482K
代理商: MJD29
2000 Fairchild Semiconductor International
M
Rev. A. February 2000
Typical Characteristics
相關PDF資料
PDF描述
MJD31B COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJD31C COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJD32B COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJD32C COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJD32C SILICON POWER TRANSISTORS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MJD2955 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD2955_02 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS
MJD2955_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications
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