參數(shù)資料
型號(hào)： MJD210T4
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS
中文描述： 5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 236K
代理商： MJD210T4
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
(TC = 25 C unless otherwise noted)
Characteristic
ON CHARACTERISTICS
Symbol
Min
Max
Unit
DC Current Gain (1)
(IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc)
(IC = 5 Adc, VCE = 2 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage (1)
(IC = 5 Adc, IB = 1 Adc)
hFE
VCE(sat)
10
—
—
—
0.3
1.8
—
Vdc
(IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 10 MHz)
Output Capacitance
(2) fT =
hfe
ftest.
Cob
—
80
pF
MJD200
25
25
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (
°
C)
0
50
75
100
125
150
15
10
TC
5
20
P
Figure 2. Switching Time Test Circuit
10K
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
5K
3K
2K
1K
500
300
200
100
50
30
20
1K
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
VCC = 30 V
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
t
500
300
200
100
50
30
20
td
10
5
3
2
2.5
0
1.5
1
TA
0.5
2
1
0.01
0.03 0.05
0.5
0.2
0.02
0.1
0.3
10
Figure 3. Turn–On Time
Figure 4. Turn–Off Time
+11 V
25
μ
s
0
–9 V
RB
–4 V
D1
SCOPE
VCC
+30 V
RC
tr, tf
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1%
51
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
1N5825 USED ABOVE IB
≈
100 mA
MSD6100 USED BELOW IB
≈
100 mA
TC
TA (SURFACE MOUNT)
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
FOR PNP TEST CIRCUIT,
REVERSE ALL POLARITIES
t
5
2
1
3
tr
MJD200
MJD210
0.01
0.03 0.05
0.5
0.2
0.02
0.1
0.3
10
5
2
1
3
VCC = 30 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25
°
C
ts
tf
MJD200
MJD210
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD200 Complementary Plastic Power Transistors
MJD200 SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS
MJD200-1 SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS
MJD200T4 SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS
MJD210 SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS
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