參數(shù)資料
型號(hào)： MJD200T4
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS
中文描述： 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 236K
代理商： MJD200T4
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
h
Figure 5. DC Current Gain
Figure 6. “On” Voltage
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
200
400
0.07 0.1
0.3
5
0.05
100
80
60
40
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 7. Temperature Coefficients
20
0.7
1
3
2
0.5
25
°
C
TJ = 150
°
C
–55
°
C
2
0.05
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5
1.6
1.2
0.8
0.4
0
3
2
0.07
0.2
0.1
0.5
0.3
1
0.7
TJ = 25
°
C
V
NPN
MJD200
PNP
MJD210
VCE = 1 V
VCE = 2 V
5
0.05
3
200
400
100
80
60
40
20
h
25
°
C
TJ = 150
°
C
–55
°
C
VCE = 1 V
VCE = 2 V
V
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 1 V
θ
VC for VCE(sat)
θ
VB for VBE
2
0.05
1.6
1.2
0.8
0.4
0
3
2
0.07
0.2
0.1
0.5
0.3
1
0.7
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 1 V
V
θ
°
+2.5
+2
+1.5
+1
0
–0.5
–1
–1.5
–2
+0.5
–2.5
0.07 0.1
0.3
5
0.05
0.2
0.7
1
3
2
0.5
*APPLIES FOR IC/IB
≤
hFE/3
25
°
C to 150
°
C
–55
°
C to 25
°
C
25
°
C to 150
°
C
–55
°
C to 25
°
C
V
θ
°
+2.5
+2
+1.5
+1
0
–0.5
–1
–1.5
–2
+0.5
–2.5
0.07 0.1
0.3
5
0.05
0.2
0.7
1
3
2
0.5
5
0.07 0.1
0.3
0.2
0.7
1
2
0.5
*APPLIES FOR IC/IB
≤
hFE/3
*
θ
VC for VCE(sat)
θ
VB for VBE
25
°
C to 150
°
C
–55
°
C to 25
°
C
25
°
C to 150
°
C
–55
°
C to 25
°
C
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