參數(shù)資料
型號： MJD122-1
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251AA
封裝： TO-251, IPAK-3
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： MJD122-1
October 2007
Rev 10
1/9
9
Table 1.
Device summary
Order code
Marking
Package
Packaging
MJD122T4
MJD122
TO-252 (DPAK)
Tape & reel
MJD122-1
MJD122
TO-251 (IPAK)
Tube
MJD122
Low voltage power Darlington transistor
Features
■
Low base drive requirements
■
Integrated antiparallel collector-emitter diode
■
Through hole TO-251 (IPAK) power package in
tube (suffix “-1”)
■
Surface mounting TO-252 (DPAK) power
package in tape & reel (suffix “T4”)
Applications
■
General purpose switching and amplifier
Description
The device is manufactured using Epitaxial-base
technology for high performance.
PNP type is MJD127.
Figure 1.
Internal schematic diagram
TO-251
IPAK
3
2
1
3
(suffix “-1”)
TO-252
DPAK
(suffix “T4”)
R1 typ. =10 KW R2 typ. =150 W
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