參數(shù)資料
型號： MJ15002
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
中文描述： 15 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 165K
代理商： MJ15002
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
The MJ15001 and MJ15002 are EpiBase power transistors designed for high
power audio, disk head positioners and other linear applications.
High Safe Operating Area (100% Tested) —
200 W @ 40 V
50 W @ 100 V
For Low Distortion Complementary Designs
High DC Current Gain —
hFE = 25 (Min) @ IC = 4 Adc
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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJ15001/D
15 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
140 VOLTS
200 WATTS
CASE 1–07
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
MJ15002G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ15003 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20A 140V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ15003 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3
MJ15003G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20A 140V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ15004 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20A 140V 250W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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