參數(shù)資料
型號: MJ15001
廠商: HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 15 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大小: 190K
代理商: MJ15001
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJ15003.MOD 20 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
MJ15004.MOD 20 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
MJ15004 20 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
MJ15003 20 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJ15001_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Power Transistors
MJ15001G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ15002 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ15002G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ15003 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20A 140V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2