參數(shù)資料
型號(hào)： MJ14001
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 60 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS 60-80 VOLTS 300 WATTS
中文描述： 60 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE
文件頁數(shù)： 1/6頁
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代理商： MJ14001
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
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. . . designed for use in high–power amplifier and switching circuit applications,
High Current Capability — IC Continuous = 60 Amperes
DC Current Gain — hFE = 15–100 @ IC = 50 Adc
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
Collector–Emitter Voltage
MJ14001
60
MJ14003
80
Vdc
Collector Base Voltage
60
80
Vdc
Emitter–Base Voltage
5
Vdc
Collector Current — Continuous
60
Adc
Base Current — Continuous
15
Adc
Emitter Current — Continuous
75
300
Watts
150
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (
°
C)
40
80
120
240
360
330
90
P
210
0
160
200
0
30
270
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJ14001/D
*Motorola Preferred Device
60 AMPERES
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSITORS
60–80 VOLTS
300 WATTS
CASE 197A–05
TO–204AE (TO–3)
REV 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJ14001 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS
MJ14002 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS
MJ14003 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS
MJ14002 60 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS 60-80 VOLTS 300 WATTS
MJ14003 60 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS 60-80 VOLTS 300 WATTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJ14001_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High?Current Complementary Silicon Power Transistors
MJ14001G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60A 60V 300W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ14002 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60A 80V 300W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ14002G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60A 80V 300W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJ14002G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
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