參數(shù)資料
型號: MJ11032
廠商: ADVANCED SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 50 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: MODIFIED TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大?。?/td> 131K
代理商: MJ11032
IPN= 0258354 0000056 631
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJ14003 60 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJ12004 5 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
MJ12002 2.5 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
MJ10023 40 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
MJ10025 20 A, 850 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJ11032 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3
MJ11032G 功能描述:達林頓晶體管 50A 120V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJ11032G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
MJ11033 功能描述:達林頓晶體管 50A 120V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJ11033 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3