參數(shù)資料
型號: MJ11031
廠商: MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP.
英文描述: POWER TRANSISTOR(50A,60-120V,300W)
中文描述: 功率晶體管(50A條,60 - 120伏特的300W)
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大?。?/td> 154K
代理商: MJ11031
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJ11033 Dual High Efficiency, Low Noise, Synchronous Step-Down Switching Regulators
MJ11031 COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
MJ11033 COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
MJ11031 50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS
MJ11033 50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJ11032 功能描述:達林頓晶體管 50A 120V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJ11032 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3
MJ11032G 功能描述:達林頓晶體管 50A 120V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJ11032G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
MJ11033 功能描述:達林頓晶體管 50A 120V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel