型號(hào): | MJ11012 |
廠商: | STMICROELECTRONICS |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 30 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
文件大小: | 79K |
代理商: | MJ11012 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MJ11013 | 30 A, 90 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
MJ11014 | 30 A, 90 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
MJE13005 | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
MJ11016 | 30 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
MJ11014 | 15 A, 90 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJ11012_01 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High-Current Complementary Silicon Transistors |
MJ11012G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 30A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
MJ11012G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
MJ11013 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Power RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
MJ11014 | 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:TO 3 30 Amp Darlington Transistors NPN |