型號: | MIXA10WB1200TED |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | 17 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
封裝: | MODULE-24 |
文件頁數(shù): | 1/7頁 |
文件大小: | 0K |
代理商: | MIXA10WB1200TED |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MIXA150W1200TEH | 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
MIXA30W1200TMH | 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
MJ01-192RPFT-101 | 192 CONTACT(S), FEMALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER |
MJ01-96RPMP-132 | 96 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT |
MJ01-96RPMP-134 | 96 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, PRESS FIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MIXA10WB1200TMH | 功能描述:IGBT 模塊 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
MIXA10WB1200TML | 功能描述:IGBT 模塊 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
MIXA150Q1200VA | 功能描述:IGBT 模塊 XPT IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
MIXA150R1200VA | 功能描述:IGBT 模塊 XPT IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
MIXA150W1200TEH | 功能描述:IGBT 模塊 Six Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |