參數(shù)資料
型號： MIC4425BM
廠商： MICREL INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 100000 SYSTEM GATE 1.8 VOLT FPGA - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
中文描述： 3 A 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： MIC4425BM
January 1999
3
MIC4423/4424/4425
MIC4423/4424/4425
Micrel
MIC4423/4424/4425 Electrical Characteristics
4.5V
≤
V
S
≤
18V; T
A
= 25
°
C,
bold
values indicate –40
°
C
≤
T
A
≤
+85
°
C; unless noted.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Input
V
IH
V
IL
I
IN
Logic 1 Input Voltage
2.4
V
Logic 0 Input Voltage
0.8
V
Input Current
0V
≤
V
IN
≤
V
S
–1
–10
1
μ
A
μ
A
10
Output
V
OH
V
OL
R
O
High Output Voltage
V
S
–0.025
V
Low Output Voltage
0.025
V
Output Resistance HI State
I
OUT
= 10mA, V
S
= 18V
V
IN
= 0.8V, I
OUT
= 10mA, V
S
= 18V
I
OUT
= 10mA, V
S
= 18V
V
IN
= 2.4V, I
OUT
= 10mA, V
S
= 18V
2.8
5
3.7
8
Output Resistance LO State
3.5
5
4.3
8
I
PK
I
Peak Output Current
3
A
Latch-Up Protection
Withstand Reverse Current
>500
mA
Switching Time (Note 4)
t
R
Rise Time
test Figure 1, C
L
= 1800pF
23
28
35
60
ns
ns
t
F
Fall Time
test Figure 1, C
L
= 1800pF
25
32
35
60
ns
ns
t
D1
Delay Tlme
test Ffigure 1, C
L
= 1800pF
33
32
75
100
ns
ns
t
D2
Delay Time
test Figure 1, C
L
= 1800pF
38
38
75
100
ns
ns
Power Supply
I
S
Power Supply Current
V
IN
= 3.0V (both inputs)
1.5
2
2.5
3.5
mA
mA
I
S
Power Supply Current
V
IN
= 0.0V (both inputs)
0.15
0.2
0.25
0.3
mA
mA
Note 1.
Note 2.
Note 3.
Note 4.
Exceeding the absolute maximum rating may damage the device.
The device is not guaranteed to function outside its operating rating.
Devices are ESD sensitive. Handling precautions recommended. ESD tested to human body model, 1.5k in series with 100pF.
Switching times guaranteed by design.
Absolute Maximum Ratings
(Note 1)
Supply Voltage ........................................................... +22V
Input Voltage ................................. V
S
+ 0.3V to GND – 5V
Junction Temperature .............................................. 150
°
C
Storage Temperature Range .................... –65
°
C to 150
°
C
Lead Temperature (10 sec.)..................................... 300
°
C
ESD Susceptability,
Note 3
...................................... 1000V
Operating Ratings
(Note 2)
Supply Voltage (V
S
) .................................... +4.5V to +18V
Temperature Range
C Version .................................................. 0
°
C to +70
°
C
B Version............................................... –40
°
C to +85
°
C
Package Thermal Resistance
DIP
θ
JA
............................................................. 130
°
C/W
DIP
θ
JC
............................................................... 42
°
C/W
Wide-SOIC
θ
JA
................................................. 120
°
C/W
Wide-SOIC
θ
JC
................................................... 75
°
C/W
SOIC
θ
JA
.......................................................... 120
°
C/W
SOIC
θ
JC
............................................................ 75
°
C/W
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PDF描述
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