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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MHPM7B15A60A |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Hybrid Power Module |
| 中文描述： | 15 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-25 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | MHPM7B15A60A |
MHPM7B15A60A
6
MOTOROLA
Typical Characteristics
μ
S
RG, GATE RESISTANCE (
)
1000
10
1000
10
100
100
VCE = 300 V
VGE = 15 V
IC = 15 A
μ
S
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
1000
100
10
1
100
1
10
VCE = 300 V
VGE = 15 V
RG = 150
25
°
C
125
°
C
,
V
QG, GATE CHARGE (nC)
450
400
350
300
200
0
100
80
60
40
20
0
90
70
50
30
10
18
16
14
12
8
4
0
250
100
150
50
10
6
2
,
V
300 V
Figure 5. Output Inverter Diode Forward Currrent
versus Forward Voltage
Figure 6. Output Inverter Collector-Current
versus Collector-Emitter Voltage
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
I
50
40
30
20
0
5
4
2
1
0
3
10
125
°
C
25
°
C
Figure 7. Output Inverter Collector-Emitter
Voltage versus Gate-Emitter Voltage
VGE, GATE-EMITTER VOLTAGE (V)
20
16
12
8
4
0
20
12
4
0
,
V
16
8
5 A
10 A
20 A
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (V)
50
40
30
20
10
0
10
6
0
,
I
8
15 V
12 V
20 V
Figure 8. Gate–to–Emitter Voltage versus
Gate Charge
Figure 9. Inverter Switching Energy E(off) versus
Collector Current IC
Figure 10. Inverter Switching Energy E(off)
versus Gate Resistance RG
25
°
C
10 V
8 V
7 V
4
TJ = 25
°
C
IC = 15 A
100 V
200 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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