參數(shù)資料
型號(hào)： MGFL48V1920
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： L BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET
封裝： HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-38, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 324K
代理商： MGFL48V1920
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>
MGFL48V1920
1.9 - 2.0GHz BAND 60W GaAs FET
DESCRIPTION
OUTLINE
The MGFL48V1920 is a 60W push-pull type GaAs Power FET
especially designed for use in 1.9 - 2.0GHz band amplifiers.
The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high reliability.
FEATURES
Push-pull configuration
High output power
Pout = 60W (TYP.) @ f=1.9 - 2.0 GHz
High power gain
GLP = 11.5 dB (TYP.) @ f=1.9 - 2.0GHz
High power added efficiency
P.A.E. = 45 % (TYP.) @ f=1.9 - 2.0GHz
APPLICATION
1.9-2.0GHz band power amplifier
QUALITY GRADE
IG
GF-47
RECOMMENDED BIAS CONDITIONS
VDS = 12 (V)
ID = 4.0 (A)
RG=20 (ohm) for each gate
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Ta=25deg.C)
< Keep safety first in your circuit designs! >
Mitsubishi Electric Corporation puts the maximum effort into
Symbol
Parameter
Ratings
Unit
making semiconductor products better and more reliable,
VGDO
Gate to drain voltage
-20
V
but there is always the possibility that trouble may occur
VGSO
Gate to source voltage
-10
V
with them.Trouble with semiconductors may lead to personal
PT *1
Total power dissipation
107.1
W
injury, fire or property damage. Remember to give due
Tch
Channel temperature
175
deg.C
consideration to safety when making your circuit designs,
Tstg
Storage temperature
-65 / +175
deg.C
with appropriate measures such as (1)placement of
substitutive, auxiliary circuits, (2)use of non-flammable
material or (3)prevention against any malfunction or mishap.
*1 : Tc=25deg.C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ta=25deg.C)
Symbol
Parameter
Test conditions
Limits
Unit
Min.
Typ.
Max.
VGS(off)
Saturated drain current
VDS = 3V , ID = 17.3mA
-1
-
-4
V
P2dB
Output power at 2dB gain
compression
47
48
-
dBm
GLP
Linear power gain
VDS=12V, ID(RF off)=4.0A, f=1.9 - 2.0GHz
10
11.5
-
dB
ID(RF)
Drain current
-
11
15
A
P.A.E.
Power added efficiency
-
45
-
%
Rth (ch-c)
Thermal resistance
Channel to Case
-
1.0
1.4
deg.C/W
Jul-'05
MITSUBISHI
ELECTRIC
2.0±0.15
unit : mm
3
.
5
±
0
.
4
1
.
9
3
.
2
±
0
.
8
1
7
.
4
±
0
.
3
8
.
0
±
0
.
2
3
.
2
±
0
.
8
24.0±0.3
16.4
3
2
1
drain
source
gate
0
.
1
2
.
4
±
0
.
2
3
6.0
15.2
3
1
20.4±0.2
2.0±0.15
1
2
1
5
.
2
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