- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371103 > MGFK38V2732 (Mitsubishi Electric Corporation) RECTIFIER BRIDGE 10A 50V 220A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/BOX PDF資料下載
參數資料
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MGFL45V1920A | 1.9-2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
| MGFL45V1920 | 1.9-2.0GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
| MGFX39V0717 | 10.7 - 11.7GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
| MGP11N60ED | 11A，600V Insulated Gate Biploar Transistor with Anti-Parallel Diode（N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate）(帶軟恢復超快速整流器的絕緣柵雙極性晶體管（N溝道增強型硅門）) |
| MGP11N60ED | SHORT CIRCUIT RATED LOW ON-VOLTAGE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MGFK39V4045 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:14.0-14.5 GHz BAND / 8W |
| MGFK39V4045_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:14.0-14.5 GHz BAND / 8W |
| MGFK41A4045 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:14.0-14.5 GHz BAND / 12W |
| MGFK44A4045 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:14.0-14.5GHz BAND 25W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
| MGFK44A4045_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:14.0-14.5 GHz BAND / 25W |
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