參數(shù)資料
型號： MGF4953A
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： K BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封裝： LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 220K
代理商： MGF4953A
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR
<GaAs FET>
MGF4953A/MGF4954A
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (Leadless Ceramic Package)
MITSUBISHI
(4/5)
June/2004
S PARAMETERS
(Ta=25
°C,VDS=2V,ID=10mA)
NOISE PARAMETERS
(Ta=25
°C,VDS=2V,ID=10mA)
Note) Rn is normalized by 50-ohm
f
Gamma-opt
Rn
NFmin.
Gs
(GHz)
Magn.
Angle
(ohm)
(dB)
4
0.64
52.7
0.27
0.22
18.3
8
0.61
103.5
0.15
0.28
15.9
12
0.55
146.4
0.06
0.35
13.5
14
0.51
161.9
0.04
0.39
12.5
18
0.41
175.3
0.03
0.48
11.0
20
0.35
-177.3
0.05
0.55
10.5
Reference Point
Gate
Drain
Source
Freq
S11
S21
S12
S22
(GHz)
(mag)
(ang)
(mag)
(ang)
(mag)
(ang)
(mag)
(ang)
1
0.911
-12.7
4.924
168.1
0.008
70.3
0.709
-10.7
2
0.894
-29.2
4.806
155.3
0.031
68.8
0.691
-22.7
3
0.875
-40.7
4.796
142.7
0.043
62.2
0.682
-30.1
4
0.858
-53.9
4.672
131.6
0.061
49.4
0.652
-41.7
5
0.830
-66.5
4.524
121.2
0.066
42.9
0.639
-49.6
6
0.797
-77.7
4.308
109.5
0.073
33.5
0.631
-58.5
7
0.770
-87.0
4.114
101.1
0.080
26.2
0.628
-64.4
8
0.751
-94.2
3.984
90.8
0.089
22.1
0.625
-71.0
9
0.727
-103.0
3.886
81.4
0.090
17.4
0.624
-76.1
10
0.713
-110.8
3.881
75.0
0.101
9.2
0.628
-80.4
11
0.686
-119.9
3.886
66.0
0.110
2.2
0.612
-87.5
12
0.636
-132.8
3.937
54.7
0.120
-4.6
0.581
-94.3
13
0.590
-146.6
4.078
45.0
0.127
-13.0
0.540
-101.0
14
0.538
-165.8
4.163
31.5
0.136
-25.2
0.485
-112.5
15
0.507
170.2
4.239
18.9
0.144
-35.8
0.396
-122.4
16
0.506
140.8
4.238
4.5
0.151
-48.2
0.283
-137.3
17
0.552
110.4
4.067
-10.5
0.151
-62.0
0.159
-162.3
18
0.625
86.0
3.791
-26.5
0.145
-74.0
0.076
120.8
19
0.696
65.9
3.428
-40.5
0.137
-85.8
0.164
54.1
20
0.745
50.8
3.045
-54.3
0.118
-97.6
0.271
31.6
21
0.791
38.2
2.677
-66.5
0.109
-106.8
0.375
20.9
22
0.794
28.2
2.281
-76.2
0.102
-114.0
0.455
14.3
23
0.776
18.4
1.984
-84.5
0.091
-118.9
0.539
8.5
24
0.802
11.0
1.828
-93.8
0.078
-127.7
0.607
5.7
25
0.796
2.9
1.626
-102.1
0.071
-130.2
0.675
2.1
26
0.799
-8.5
1.424
-114.5
0.064
-138.3
0.730
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