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參數(shù)資料
| 型號： | MG800J1US51 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 800 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 2-109E1A, 5 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | MG800J1US51 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG800J1US52A | 800 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG800J2YS50A | 800 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG800J2YS50A | 800 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG8N6ES42 | 8 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG50J6ES45 | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG800J1US52A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS |
| MG800J2YS50A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 600V 800A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| MG80186-6/B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-6/BZA | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-8 | 制造商:Intel 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
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