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參數(shù)資料
| 型號： | MG75J6ES50 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 2-94A2A, 19 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 232K |
| 代理商： | MG75J6ES50 |
PAGE . 3
REV.0-JUN.21.2005
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVE
0
50
100
150
200
250
300
350
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I
C (mA)
h
FE
T
J = 25 C
T
J = 150 C
T
J = 100 C
V
CE = 10V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I
C (mA)
V
BE
(
on)
T
J = 25 C
T
J = 150 C
T
J = 100 C
V
CE = 10V
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I
C (m A)
V
CE
(sat
)(
m
V
)
T
J = 25 C
T
J = 150 C
I
C/IB = 10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I
C (mA)
V
BE
(
s
a
t)
(V
)
T
J = 25 C
T
J = 150 C
I
C/IB = 10
T
J = 100 C
1
10
100
0.1
1
10
100
Reverse Voltage, VR (V)
C
a
pa
c
it
a
nc
e
(
pF
)
CIB (EB)
COB (CB)
f=1 MHz
Fig. 3. Typical hFE vs Collector Current
Fig. 4. Typical VBE vs Collector Current
Fig. 5. Typical VCE (sat) vs Collector Current
Fig. 6. Typical VBE (sat) vs Collector Current
Fig. 7. Typical Capacitances vs Reverse Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG75M1AL1 | 75 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MG75N1BS1 | 75 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG75N2YS1 | 75 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG75Q1BS11 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG75Q1JS40 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG75M2YK1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG75M2YL1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG75N2YK1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG75N2YL1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG75P | 制造商:OKI 制造商全稱:OKI electronic componets 功能描述:0.25レm Sea of Gates and Customer Structured Arrays |
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