參數(shù)資料
型號(hào): MG400Q1US65H
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: 2-109F1A, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大小: 195K
代理商: MG400Q1US65H
PAGE . 3
REV.0.0-JUL.9.2008
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVE
0
50
100
150
200
250
300
0.01
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, -I
C (mA)
hF
E
V
CE = 1V
T
J = 100 C
T
J = 25 C
T
J = 150 C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
0.1
1
10
100
1000
Collector Current,
-I
C (m A)
-V
BE
(V
)
T
J = 100 C
T
J = 25 C
T
J = 150 C
V
CE = 1V
0.100
1.000
0.01
0.1
1
10
100
Collector Current, -I
C (mA)
-V
B
E
(s
a
t)
(V
T
J = 100
T
J = 25 C
T
J = 150 C
I
C/IB = 10
0.01
0.10
1.00
0.01
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, -I
C (mA)
-V
C
E
(s
a
t)
(V)
T
J = 25
T
J = 150
I
C/IB = 10
1
10
-0.1
-1
-10
-100
Reverse Voltage, V R (V)
C
a
p
a
ci
tance
(
pF
)
CIB (EB)
COB (CB)
Fig. 1. Typical hFE vs. Collector Current
Fig. 2. Typical VBE vs. Collector Current
Fig. 3. Typical VCE (sat) vs. Collector Current
Fig. 4. Typical VBE (sat) vs. Collector Current
Fig. 5. Typical Capacitances vs. Reverse Voltage
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PDF描述
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參數(shù)描述
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