參數(shù)資料
型號: MG400Q1US65H
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: High Power & High Speed Switching Applications
中文描述: 高功率
文件頁數(shù): 5/6頁
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代理商: MG400Q1US65H
MG400Q1US65H
2003-12-19
5
T
R
t
C
C
Charge Q
G
(nC)
V
CE
, V
GE
– Q
G
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C – V
CE
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Short circuit SOA
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Reverse bias SOA
Pulse width t
w
(s)
R
th (t)
– t
w
0
3
6
0
400
1400
200
800
1200
VCC
<
900 V
Tj
<
125°C
tw
=
5
μ
s
5
4
2
1
600
1000
0.1
1
1000
0
500
1500
Tj
<
125°C
VGE
=
±
15 V
RG
=
2.4
100
1000
10
100
0.01
10000
100000
1
100
Cies
Coes
Cres
Common emitter
VGE
=
0
f
=
1 MHz
Tc
=
25°C
1000
0.1
10
0.001
0.001
0.1
1
0.1
10
Diode stage
Transistor stage
Tc
=
25°C
0.01
0.01
1
G
G
VCE
=
0
8
16
4
12
0
0
800
1600
1600
4000
Common emitter
RL
=
1.5
Tc
=
25°C
400
1200
800
3200
2400
200 V 400 V 600 V
相關PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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