型號: | MG400J1US51 |
廠商: | Toshiba Corporation |
英文描述: | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
中文描述: | 硅N通道IGBT的(不適用溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
文件頁數(shù): | 3/5頁 |
文件大?。?/td> | 300K |
代理商: | MG400J1US51 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
MG400J2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
MG50J2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
MG50Q2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
MG75J1BS11 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
MG75J1ZS40 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
MG400J2YS50 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
MG400J2YS60A | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
MG400J2YS61A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT DUAL 600V 400A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設(shè)備封裝:SOT-227B |
MG400Q1US1 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
MG400Q1US11 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |