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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MG300Q2YS65H |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
| 中文描述： | 東芝IGBT模塊IGBT的硅?頻道 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | MG300Q2YS65H |
MG300Q2YS65H
2003-03-11
4
S
S
Collector current I
C
(A)
Switching time – I
C
S
Collector current I
C
(A)
Switching time – I
C
S
Gate resistance R
G
( )
Switching time – R
G
S
Gate resistance R
G
( )
Switching time – R
G
Collector current I
C
(A)
Switching loss – I
C
Gate resistance R
G
( )
Switching loss – R
G
S
0.01
10
0.1
1
100
1000
toff
td (off)
tf
Common emitter
VCC 600 V
VGE 15 V
RG 2.7
: Tc 25°C
: Tc 125°C
0.01
0.1
10
1
100
10
1
: Tc 25°C
: Tc 125°C
toff
td (off)
tf
Common emitter
VCC 600 V
IC 300 A
VGE 15 V
0.01
10
0.1
1
100
1000
: Tc 25°C
: Tc 125°C
ton
td (on)
tr
Common emitter
VCC 600 V
VGE 15 V
Rg 2.7
0.01
1
0.1
1
10
100
: Tc 25°C
: Tc 125°C
ton
td (on)
tr
Common emitter
VCC 600 V
IC 300 A
VGE 15 V
1
10
10
100
100
1000
: Tc 25°C
: Tc 125°C
Eon
Common emitter
VCC 600 V
VGE 15 V
RG 2.7
Eoff
Edsw
1
1
10
100
10
100
Eoff
Eon
Edsw
Common emitter
VCC 600 V
IC 300 A
VGE 15 V
: Tc 25°C
: Tc 125°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG30G6EL2 | TOSHIBA GTR MODULE SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE |
| MG400J1US51 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG400J2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG50J2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG50Q2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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