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型號: | MG300Q1US51 |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
封裝: | 2-109F1A, 4 PIN |
文件頁數(shù): | 7/7頁 |
文件大?。?/td> | 280K |
代理商: | MG300Q1US51 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MG300Q2YS40 | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
MG300Q2YS60A | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
MG30G6EL2 | 30 A, 450 V, 6 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MG30G6EL9 | 30 A, 450 V, 6 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MG30H2YM1 | 30 A, 500 V, 0.205 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MG300Q2YS40 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module 制造商:Toshiba 功能描述:_ |
MG300Q2YS50 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
MG300Q2YS60A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT DUAL 1200V 300A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
MG300Q2YS61 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:High Power Switching Applications Motor Control Applications |
MG300Q2YS65H | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
*型號 | *數(shù)量 | 廠商 | 批號 | 封裝 |
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