參數(shù)資料
型號(hào)： MG200Q2YS60A
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-123C1B, 11 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
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代理商： MG200Q2YS60A
MG200Q2YS60A
2003-08-05
4
3. Module (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Inverter IGBT stage
0.062
Junction to case thermal resistance
Rth (j-c)
Inverter FRD stage
0.136
°C/W
Case to fin thermal resistance
Rth (c-f)
With silicon compound
0.013
°C/W
Switching Time Test Circuit
Timing Chart
IC
RG
L
IF
VGE
VCC
td (on)
td (off)
trr
90%
10%
tf
IC
VGE
10%
Irr
90% Irr
20% Irr
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PDF描述
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