- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369916 > MG200J2YS50 (Toshiba Corporation) Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MG200J2YS50 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 硅N通道IGBT的（不適用溝道絕緣柵雙極型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 298K |
| 代理商： | MG200J2YS50 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG200Q2YS60A | High Power Switching Applications Motor Control Applications |
| MG25Q2YS40 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG300J1US51 | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG300J2YS50 | Silicon N channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| MG300Q2YS60A | High Power Switching Applications Motor Control Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG200J6ES60 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT |
| MG200J6ES61 | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 600V 200A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| MG200M1UK1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG200Q1JS40 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| MG200Q1UK1 | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。