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參數(shù)資料
| 型號： | MG200J2YS11 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | MG200J2YS11 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG150H2CL1 | 150 A, 550 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MG300H1FL1 | 300 A, 550 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MG300Q1US2 | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG50Q6ES11 | 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG150G2YL1 | 150 A, 450 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG200J2YS40 | 制造商:n/a 功能描述:Power Module |
| MG200J2YS50 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module 制造商:NEW 功能描述:_ |
| MG200J6ES60 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT |
| MG200J6ES61 | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 600V 200A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| MG200M1UK1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
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