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參數(shù)資料
| 型號： | MG150J7KS50 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT |
| 中文描述： | 東芝滋養(yǎng)模塊IGBT的硅?頻道 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 119K |
| 代理商： | MG150J7KS50 |
MG150J7KS50
2001-08-16
1
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG150J7KS50
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
The electrodes are isolated from case.
High input impedance
7 IGBTs built into 1 package.
Enhancement-mode
High speed type IGBT : Inverter stage
: V
CE
(sat)
= 2.8V (max) (@I
C
= 150A)
: t
f
= 0.5μs (max) (@I
C
= 150A)
: t
rr
= 0.3μs (max) (@I
F
= 150A)
: TOSHIBA 2-110A1B
Outline
Weight: 520g
Equivalent Circuit
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MG150Q2YK1 | TRANSISTOR MODULES |
| MG150Q2YL1 | TRANSISTOR MODULES |
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相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MG150M2YK1 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG150M2YL1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG150N2YK1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
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