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參數(shù)資料
| 型號： | MG100J1BS11 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 2-33F2A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | MG100J1BS11 |
MG100J1BS11
2003-04-11
2
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Gate leakage current
IGES
VGE = ±20V, VCE = 0
―
±500
nA
Collector cut-off current
ICES
VCE = 600V, VGE = 0
―
1.0
mA
Gate-emitter cut-off voltage
VGE(off)
VCE = 5V, IC = 100mA
3.0
―
6.0
V
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 100A, VGE = 15V
―
2.3
2.7
V
Input capacitance
Cies
VCE = 10V, VGE = 0, f = 1MHz
―
8200
―
pF
Rise time
tr
―
0.3
0.8
Turn-on time
ton
―
0.4
1.0
Fall time
tf
―
0.6
1.0
Switching time
Turn-off time
toff
―
1.0
1.6
s
Thermal resistance
Rth(j-c)
―
0.41
°C / W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG100J1ZS40 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG100N2YS1 | 100 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG100Q1ZS50 | IGBT |
| MG100Q2YS42 | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG100Q2YS51 | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG100J1ZS40 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| MG100J2YS1 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG100J2YS50 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG100J6ES1 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| MG100J6ES40 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
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