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參數資料
| 型號： | MDV04-600RL |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商： | MDV04-600RL |
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Ip(A)
PF(av)(W)
Fig. 1: Power dissipation versus peak forward cur-
rent (triangular waveform,
δ=0.5).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
t(s)
K=[Zth(j-a)/Rth(j-a)]
Single pulse
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
T
δ=tp/T
tp
Fig. 2: Relative variation of thermal impedance
junction to ambient versus pulse duration (epoxy
printed circuit board, e(Cu)=35
m), recommended
pad layout).
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
VFM(V)
IFM(A)
Tj=125°C
Tj=25°C
Fig. 3: Forward voltage drop versus forward cur-
rent (maximum values).
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
0
50
100
150
200
250
300
350
400
dIF/dt(A/s)
trr(ns)
IF=Ip
90% confidence
Tj=125°C
Fig. 4: Reverse recovery time versus dIF/dt.
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
0
5
10
15
20
VFP(V)
IF=Ip
90% confidence
Tj=125°C
dIF/dt(A/s)
Fig. 5: Transient peak forward voltage versus
dIF/dt.
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
0
50
100
150
200
250
300
350
tfr(ns)
IF=Ip
90% confidence
Tj=125°C
Vfr=1.5V
dIF/dt(A/s)
Fig. 6: Forward recovery time versus dIF/dt.
MDV04-600
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| MF-10KDS-R13-0-60 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| MDV-1 | 制造商:Cooper Bussmann 功能描述: |
| MDV-1/10 | 制造商:Cooper Bussmann 功能描述: |
| MDV-1/100 | 制造商:Cooper Bussmann 功能描述: |
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