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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MDS35-1200 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | DIODE / SCR MODULE |
| 中文描述： | 二極管/可控硅模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 399K |
| 代理商： | MDS35-1200 |
MDS35 / 50 / 80 Series
5/7
Fig. 3:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
Fig. 4:
Relative variation of gate trigger current,
holding current and latching current versus
junction temperature (typical values).
Fig. 5-1:
Surge peak on-state current versus
number of cycles (MDS35 and MDS50).
Fig. 5-2:
Surge peak on-state current versus
number of cycles (MDS80).
Fig. 6-1:
Non-repetitive surge peak on-state
current
for
a
sinusoidal
tp < 10 ms,
and
corresponding
(MDS35 and MDS50).
pulse
with
value
width
of
I2t
Fig. 6-2:
Non repetitive surge peak on-state
current
for
a
sinusoidal
tp < 10 ms,
and
corresponding
(MDS80).
pulse
with
value
width
of
I2t
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PDF描述 |
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