參數(shù)資料
型號(hào)： MCR100-7
廠商： Semtech Corporation
英文描述： SCR
中文描述： 可控硅
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大小： 233K
代理商： MCR100-7
MCR100-3 … MCR100-8
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
( Wholly owned subsidiary of Honey Technology Ltd.)
Dated : 06/12/2003
L
H
Figure 5. Typical RMS Current Derating
T
J
, Junction Temperature (
C)
Figure 3. Typical Holding Curent Versus
Junction Temperature
30
C
35
T
C
,
T
0.1
80
60
50
40
70
0
0.2
120
110
100
90
-10
-40 -25
10
5
20
Figure 6. Typical On-State Characteristics
V
T
, Instantaneous On-State Voltage (volts)
T
J
, Junction Temperature (
C)
Figure 4. Typical Latching Curent Versus
Junction Temperature
MAXIMUM @ TJ=25
C
5
I
T
,
C
DC
90
C
0.4
60
C
0.3
180
C
0.5
0.1
1.1
0.8
0.5
1
80
50
65
95
110
10
-40
10
-10
-25
2.0
1.7
1.4
2.9
2.6
2.3
3.5
3.2
MAXIMUM @ TJ=110
C
95
50
35
20
80
65
110
Figure 1. Typical Gate Trigger Curent Versus
Junction Temperature
T
J
, Junction Temperature (
C)
G
20
-40
1
000
10
100
-10
-25
20
5
70
60
50
40
30
100
90
80
T
J
, Junction Temperature (
C)
Figure 2. Typical Gate Trigger Voltage
Versus Junction Temperature
G
65
50
35
95
80
100
0.2
110
1
000
-25
-10
-40
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
1.0
0.9
0.8
35
5
20
80
50
65
110
95
I
T(RMS)
, RMS On-State Current (AMPS)
(
(
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MCR100-8 SCR
MCR100 SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIERS REVERSE BLOCKING THYRISTORS
MCR100-8 PLASTIC SILICON CONTROLLED RECTIFIERS(PNPN devices designed for high volume)
MCR100-6 PLASTIC SILICON CONTROLLED RECTIFIERS(PNPN devices designed for high volume)
MCR100-4 PLASTIC SILICON CONTROLLED RECTIFIERS(PNPN devices designed for high volume)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MCR1008 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:PLASTIC SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
MCR100-8 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor SCR 600V 10A 3-Pin TO-92 Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:THYRISTOR 0.8A 600V TO-92
MCR100-8A 制造商:YENYO 制造商全稱:YENYO 功能描述:Sensitive Gate / Silicon Controlled Rectifiers
MCR100-8G 功能描述:SCR 600V 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
MCR100-8H 制造商:WINSEMI 制造商全稱:WINSEMI 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers
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