參數(shù)資料
型號： MCR08BT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 晶閘管
英文描述： SCR 0.8 AMPERE RMS 200 thru 600 Volts
中文描述： 0.8 A, 200 V, SCR
封裝： CASE 318E, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 294K
代理商： MCR08BT1
4
Motorola Thyristor Device Data
r
N
80
20
–40
–20
0
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
40
60
110
80
20
–40
–20
0
40
60
110
1000
100
1.0
0.7
1000
10
0.1
IGT, GATE TRIGGER CURRENT (
μ
A)
1.0
100
I
V
0.65
0.6
0.55
0.5
0.45
0.4
0.35
0.3
VAK = 7.0 V
RL = 140
TJ = 25
°
C
10
2.0
1.0
0
TJ, JUNCTION TEMPERATURE, (
°
C)
V
TJ, JUNCTION TEMPERATURE, (
°
C)
I
(
0.7
0.6
0.5
0.4
80
20
–40
–20
0
40
60
110
0.3
1.0
0.1
0.01
0.0001
100
0.1
M
P
IT(AV), AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMPS)
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
0
0.9
0.8
0.7
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
Figure 8. Power Dissipation
Figure 9. Thermal Response Device
Mounted on Figure 1 Printed Circuit Board
t, TIME (SECONDS)
dc
180
°
α
= 30
°
60
°
(
0
0.001
0.01
1.0
10
G
μ
RGK = 1000
, RESISTOR
CURRENT INCLUDED
WITHOUT GATE RESISTOR
VAK = 7.0 V
RL = 140
α
α =
CONDUCTION
ANGLE
VAK = 7.0 V
RL = 3.0 k
RGK = 1.0 k
90
°
120
°
Figure 10. Typical Gate Trigger Voltage
versus Junction Temperature
Figure 11. Typical Normalized Holding Current
versus Junction Temperature
Figure 12. Typical Range of VGT
versus Measured IGT
Figure 13. Typical Gate Trigger Current
versus Junction Temperature
VAK = 7.0 V
RL = 140
RGK = 1.0 k
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MCR08B SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
MCR08BT1 SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
MCR08MT1 SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
MDC3205 RELAY/SOLENOID DRIVER SILICON MONOLITHIC CIRCUIT BLOCK
MDC5000T1 SILICON SMALLBLOCK INTEGRATED CIRCUIT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MCR08BT1 T/R 功能描述:SCR TAPE-7 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
MCR08BT1,115 功能描述:SCR TAPE-7 TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
MCR08BT1_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers
MCR08BT1115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR 800mA 200V SOT-22 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR 0.8A 200V SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR 800mA 200V SOT-223
MCR08BT1G 功能描述:SCR THY .8A 200V SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*