V
參數(shù)資料
型號： MCP6N11T-100E/MNY
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 23/50頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC AMP INSTR RRIO 35MHZ 8TDFN
標準包裝： 1
放大器類型： 儀表
電路數(shù)： 1
輸出類型： 滿擺幅
轉(zhuǎn)換速率： 6 V/µs
增益帶寬積： 35MHz
電流 - 輸入偏壓： 10pA
電壓 - 輸入偏移： 350µV
電流 - 電源： 800µA
電流 - 輸出 / 通道： 30mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-WFDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝： 8-TDFN（2x3）
包裝： 標準包裝
其它名稱： MCP6N11T-100E/MNYDKR
2011 Microchip Technology Inc.
DS25073A-page 3
MCP6N11
1.0
ELECTRICAL
CHARACTERISTICS
1.1
Absolute Maximum Ratings
VDD –VSS .......................................................................6.5V
Current at Input Pins ...............................................±2 mA
Analog Inputs (VIP and VIM) ..... VSS – 1.0V to VDD +1.0V
All Other Inputs and Outputs ......... VSS – 0.3V to VDD +0.3V
Difference Input Voltage....................................... |VDD –VSS|
Output Short Circuit Current ................................ Continuous
Current at Output and Supply Pins ............................±30 mA
Storage Temperature ...................................-65°C to +150°C
Max. Junction Temperature ........................................ +150°C
ESD protection on all pins (HBM, CDM, MM)
.≥ 2 kV, 1.5 kV, 300V
Notice: Stresses above those listed under “Absolute
Maximum Ratings” may cause permanent damage to
the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at those or any other
conditions above those indicated in the operational
listings of this specification is not implied. Exposure to
maximum rating conditions for extended periods may
affect device reliability.
1.2
Specifications
TABLE 1-1:
DC ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, TA =+25°C, VDD = 1.8V to 5.5V, VSS = GND, EN/CAL =VDD,
VCM =VDD/2, VDM =0V, VREF =VDD/2, VL =VDD/2, RL =10 kΩ to VL and GDM =GMIN; see Figure 1-6 and Figure 1-7.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
GMIN
Conditions
Input Offset
Input Offset Voltage,
Calibrated
VOS
-3.0
—
+3.0
mV
1
-2.0
—
+2.0
mV
2
-0.85
—
+0.85
mV
5
-0.50
—
+0.50
mV
10
-0.35
—
+0.35
mV
100
Input Offset Voltage
Trim Step
VOSTRM
—0.36
—
mV
1
—0.21
—
mV
2
—0.077
—
mV
5
—0.045
—
mV
10
—0.014
—
mV
100
Input Offset Voltage
Drift
ΔVOS/ΔTA
—±90/GMIN
—
V/°C 1 to 10 TA= -40°C to +125°C
—
±2.7
—
V/°C
100
Power Supply
Rejection Ratio
PSRR
62
82
—
dB
1
68
88
—
dB
2
75
96
—
dB
5
81
102
—
dB
10
86
112
—
dB
100
Note 1:
VCM = (VIP + VIM) / 2, VDM = (VIP – VIM) and GDM = 1 + RF/RG.
2:
The VOS spec limits include 1/f noise effects.
3:
This is the input offset drift without VOS re-calibration; toggle EN/CAL to minimize this effect.
4:
These specs apply to both the VIP, VIM input pair (use VCM) and to the VREF, VFG input pair (VREF takes VCM’s place).
5:
This spec applies to the VIP, VIM, VREF and VFG pins individually.
6:
Figure 2-11 and Figure 2-19 show the VIVR and VDMR variation over temperature.
7:
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CN0805L8G VARISTOR 8VRMS 0805 SMD
MCP6N11T-005E/MNY IC AMP INSTR RRIO 2.5MHZ 8TDFN
CN0805K11G VARISTOR 11VRMS 0805 SMD
MCP6N11T-001E/MNY IC AMP INSTR RRIO 500KHZ 8TDFN
953105-2000-AR-TP CONN SOCKET 5POS 2MM VERT SMD
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參數(shù)描述
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MCP6S21-I/P 功能描述:特殊用途放大器 1-Chan. 12 MHz SPI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:Single 共模抑制比（最小值）: 輸入補償電壓: 工作電源電壓:3 V to 5.5 V 電源電流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-20 封裝:Reel
MCP6S21-I/P 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:AMP PROGRAMMABLE GAIN 1 CH 6S21
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MCP6S21-I/SN 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC
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