參數(shù)資料
型號： MCP631T-E/SN
元件分類： 運算放大器
英文描述： OP-AMP, 8000 uV OFFSET-MAX, 24 MHz BAND WIDTH, PDSO8
封裝： 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8
文件頁數(shù)： 38/42頁
文件大?。?/td> 790K
代理商： MCP631T-E/SN
2009 Microchip Technology Inc.
DS22197A-page 5
MCP631/2/3/5
1.3
Timing Diagram
FIGURE 1-1:
Timing Diagram.
1.4
Test Circuits
The circuit used for most DC and AC tests is shown in
Figure 1-2. It independently sets VCM and VOUT; see
Equation 1-1. The circuit’s common mode voltage is
(VP +VM)/2, not VCM. VOST includes VOS plus the
effects of temperature, CMRR, PSRR and AOL.
EQUATION 1-1:
FIGURE 1-2:
AC and DC Test Circuit for
Most Specifications.
TABLE 1-4:
TEMPERATURE SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, all limits are specified for: VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Temperature Ranges
Specified Temperature Range
TA
-40
—
+125
°C
Operating Temperature Range
TA
-40
—
+125
°C
Storage Temperature Range
TA
-65
—
+150
°C
Thermal Package Resistances
Thermal Resistance, 8L-3x3 DFN
θJA
—60
—
°C/W
Thermal Resistance, 8L-SOIC
θJA
—
149.5
—
°C/W
Thermal Resistance, 10L-3x3 DFN
θJA
—57
—
°C/W
Thermal Resistance, 10L-MSOP
θJA
—
202
—
°C/W
Note 1:
Operation must not cause TJ to exceed Maximum Junction Temperature specification (+150°C).
2:
Measured on a standard JC51-7, four layer printed circuit board with ground plane and vias.
VOUT
ISS
ICS
-1 A
High-Z
0.7 A
On
-2.5 mA
-1 A
tON
tOFF
High-Z
0.1 nA
0.7 A
CS
VIL
VIH
(typical)
G
DM
R
F RG
=
V
CM
V
P 11 GN
–
() V
REF 1 GN
()
+
=
V
OUT
V
REF
V
P
V
M
–
()G
DM
V
OSTGN
++
=
Where:
GDM = Differential Mode Gain
(V/V)
GN = Noise Gain
(V/V)
VCM = Op Amp’s Common Mode
Input Voltage
(V)
VOST = Op Amp’s Total Input Offset
Voltage
(mV)
V
OST
V
IN–
V
IN+
–
=
G
N
1
G
DM
+
=
VDD
RG
RF
VOUT
VM
CB2
CL
RL
VL
CB1
10 k
Ω
10 k
Ω
RG
RF
VREF =VDD/2
VP
10 k
Ω
10 k
Ω
50 pF
2k
Ω
2.2 F
100 nF
VIN–
VIN+
CF
6.8 pF
MCP63X
6.8 pF
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PDF描述
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參數(shù)描述
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