參數(shù)資料
型號： MCP4261T-502E/ML
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 3/88頁
文件大小： 0K
描述： IC DGTL POT 5K 2CH 16QFN
標準包裝： 3,300
系列： WiperLock™
接片： 257
電阻（歐姆）： 5k
電路數(shù)： 2
溫度系數(shù)： 標準值 150 ppm/°C
存儲器類型： 非易失
接口： 4 線 SPI（芯片選擇）
電源電壓： 2.7 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-VQFN 裸露焊盤
供應商設備封裝： 16-QFN-EP（4x4）
包裝： 帶卷 (TR)
其它名稱： MCP4261T-502-E/ML
MCP4261T-502-E/MLTR
MCP4261T-502-E/MLTR-ND
MCP4261T-502E/MLTR
2008 Microchip Technology Inc.
DS22059B-page 11
MCP414X/416X/424X/426X
1.1
SPI Mode Timing Waveforms and Requirements
FIGURE 1-1:
SPI Timing Waveform (Mode = 11).
TABLE 1-1:
SPI REQUIREMENTS (MODE = 11)
#
Characteristic
Symbol
Min
Max Units
Conditions
SCK Input Frequency
FSCK
—10
MHz VDD = 2.7V to 5.5V
—1
MHz VDD = 1.8V to 2.7V
70
CS Active (VIL or VIHH) to SCK↑ input
TcsA2scH
60
—
ns
71
SCK input high time
TscH
45
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
500
—
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
72
SCK input low time
TscL
45
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
500
—
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
73
Setup time of SDI input to SCK
↑ edge
TDIV2scH
10
—
ns
74
Hold time of SDI input from SCK
↑ edge
TscH2DIL20
—
ns
77
CS Inactive (VIH) to SDO output hi-impedance
TcsH2DOZ
—
50
ns
80
SDO data output valid after SCK
↓ edge
TscL2DOV
—
70
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
170
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
83
CS Inactive (VIH) after SCK↑ edge
TscH2csI
100
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
1ms
VDD = 1.8V to 2.7V
84
Hold time of CS Inactive (VIH) to
CS Active (VIL or VIHH)
TcsA2csI
50
—
ns
Note 1:
This specification by design.
CS
SCK
SDO
SDI
70
71
72
73
74
75, 76
77
78
79
80
SDI
MSb
LSb
BIT6 - - - - - -1
MSb IN
BIT6 - - - -1
LSb IN
83
84
VIH
VIL
VIHH
VIH
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MCP4261T-503-E/ML 功能描述:數(shù)字電位計 IC Dual, 7bit, NV, SPI, POT RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 電阻:200 Ohms 溫度系數(shù):35 PPM / C 容差:25 % POT 數(shù)量:Dual 每 POT 分接頭:256 弧刷存儲器:Volatile 緩沖刷: 數(shù)字接口:Serial (3-Wire, SPI) 描述/功能:Dual Volatile Low Voltage Linear Taper Digital Potentiometer 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 電源電流:27 uA 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TQFN-16 封裝:Reel
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